{"text":[[{"start":8.53,"text":"两年前遭业界巨头控告专利侵权后，笼罩在英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（2577.HK）头上的乌云似乎正逐步消散，有望为公司及其投资者消除一大隐忧。"}],[{"start":20.75,"text":"英诺赛科与英飞凌（IFX.DE）之间自2024年3月开始的法律纠纷，一直为英诺赛科带来重大风险，甚至在公司于一年前来港上市之际亦然。英诺赛科目前主要业务仍集中在中国，一旦裁决结果不利，未来可能被禁止向美国市场销售部分产品。"}],[{"start":39.370000000000005,"text":"上周此一情势似乎略见缓和，公司公告指，美国国际贸易委员会（ITC）在本案涉及的两项专利中，就其中一项作出了部分有利于英诺赛科的裁决。英诺赛科表示，其另一项专利相关的产品也被认定并未构成侵权。公司称，该项裁决“进一步明确了英诺赛科相关知识产权的状态，并将为公司未来的全球化发展扫清障碍”。"}],[{"start":66.41,"text":"不过，英飞凌的说法则略有不同。公司在声明中指出，ITC在诉讼涉及的其中一项专利上裁定有利于英飞凌，并补充表示，最终裁决预计将于明年4月2日作出，若初步裁决获得确认，英诺赛科的相关产品未来可能被禁止输往美国。"}],[{"start":84.64,"text":"尽管如此，投资者似乎认定ITC的裁决对英诺赛科有利。公司股价在上周三公告当日虽一度下跌1.5%，但其后强劲反弹，目前较公告前水平高出近10%。"}],[{"start":98.89,"text":"自2017年成立以来，英诺赛科一直深耕氮化镓（GaN）技术，成为功率半导体领域的重要推动者。相比传统硅基半导体，氮化镓具有效率更高、开关速度更快等优势，而英诺赛科一直是氮化镓应用与商业化的主要推动力量。"}],[{"start":116.74000000000001,"text":"公司在这一技术领域具备领先优势，包括率先实现8吋氮化镓晶圆的量产，使其有望在这个体量不大、但增长快速的市场中占得先机。不过，随着越来越多对手涌入赛道，竞争迅速升温，已对公司构成重大挑战，投资者仍应保持审慎。"}],[{"start":136.13,"text":"大市场 大竞争"}],[{"start":137.99,"text":"氮化镓功率半导体市场正持续快速升温。根据美银（Bank of America）上月发布的研究报告，市场规模预计将由2024年的27亿元（约3.82亿美元），增长至2028年的192亿元，年复合增长率高达63%。同样来自美银数据，目前英诺赛科在氮化镓功率半导体市场居于领先地位，去年市占率达30%，几乎较排名第二、市占约17%的Navitas Semiconductor（NVTS.US）多出一倍。"}],[{"start":167.76000000000002,"text":"不过，多项因素仍使英诺赛科在未来的竞争中处于有利位置，其中最关键的是其采用的整合元件制造商（IDM）模式，即由公司自行负责产品从设计、制造到销售推广的全流程。"}],[{"start":181.57000000000002,"text":"与将生产外包予第三方代工厂的“无晶圆厂（fabless）模式”相比，IDM模式使英诺赛科能够对供应链与产品品质，掌握更高的控制权。但最大的劣势在于成本大幅攀升，企业必须投入巨额资本兴建昂贵的生产线。惟在目前情况下，垂直整合所带来的优势正日益显现。以Navitas为例，其采用fabless模式，但在主要代工伙伴台积电（TSMC）宣布将于2027年退出氮化镓制造业务后，正急于寻觅新的生产合作伙伴。"}],[{"start":214.27000000000004,"text":"英诺赛科的商业模式亦为其带来更为多元化的收入来源，公司不仅生产氮化镓晶片与模组等终端产品，同时亦供应作为晶片制造基础原料的晶圆，令其能覆盖更完整的产业链收益。"}],[{"start":228.19000000000003,"text":"近期两项供应协议进一步突显这一优势，最新一项为上周英诺赛科与美国安森美半导体（ON Semiconductor）达成的合作，早前公司亦曾与欧洲意法半导体（STMicroelectronics）签署类似协议，未来英诺赛科将向两家企业供应氮化镓晶圆。相关合作有助于分散英诺赛科的收入地域结构，目前公司收入仍高度集中于中国市场。"}],[{"start":250.69000000000003,"text":"摩根士丹利在10月份的研究报告中预计，英诺赛科的收入增速将快于整体氮化镓市场，至2027年止年复合成长率可达66%。该行将此一前景主要归因于公司在技术上的领先地位，以及其IDM模式所带来的竞争优势。"}],[{"start":269.18,"text":"这一成长趋势已在公司近期业绩中开始显现，2025年上半年，英诺赛科收入按年大增43.4%至5.53亿元（约7,110万美元），更重要的是，公司首次录得6.8%的毛利率。"}],[{"start":284.49,"text":"不过，期内公司仍录得4.29亿元的净亏损，但较去年同期亏损4.88亿元有所收窄，经营状况逐渐改善。"}],[{"start":294.21000000000004,"text":"英诺赛科在7月亦迎来另一项重大利好，全球AI晶片龙头英伟达（Nvidia）宣布，已选定英诺赛科为其Rubin Ultra GPU提供800V直流电源解决方案。该产品预计于2027年进入商业化阶段。这标志着英诺赛科成功打入数据中心市场，该板块正是氮化镓功率半导体需求增长最快的领域之一。"}],[{"start":317.77000000000004,"text":"受一连串利好消息带动，英诺赛科股价表现强劲。自去年12月在香港上市后，股价一路攀升，从每股30.86港元的IPO发行价上涨逾两倍，于9月初一度逼近100港元，其后有所回落，上周五收报80.85港元。"}],[{"start":336.28000000000003,"text":"不过，投资者仍需留意显著的下行风险，主要来自竞争加剧。英诺赛科正积极扩张产能，目标到2027年月产能将由今年上半年的1.3万片提升至6万片。然而，扩产并非其独有动作。摩根士丹利预测，以6吋晶圆等效计算，全球氮化镓产能将由2024年月产10万片，暴增至2029年的34.5万片。"}],[{"start":363.25,"text":"半导体行业向来以“过度扩产、景气循环剧烈”闻名，类似的快速产能扩张并不罕见。摩根士丹利预期，未来五年整体行业产能利用率虽有所改善，但仍将低于60%，意味市场将持续面临定价与盈利压力。基于此，该行预测英诺赛科毛利率在2026年至2027年间仅能温和改善，而公司至少于明年之前仍将持续亏损。"}],[{"start":390.83,"text":"整体而言，英诺赛科在高速成长的氮化镓市场中具备成为龙头企业的潜力，但前景仍远未明朗。尽管公司坐拥技术优势与多元化商业模式，在产能大幅扩张与价格压力挥之不去的环境下，要真正实现稳定盈利仍存在不确定性。ITC最新裁决无疑是公司迈出的重要一步，但对于更为根本的竞争挑战，仍无法带来实质性纾解。"}],[{"start":418.31,"text":"（作者陈竹，本文仅代表个人观点）"}]],"url":"https://audio.ftcn.net.cn/album/a_1765215929_8050.mp3"}